ТГц спектроскопический набор

Описание

ТГц спектроскопический набор включает в себя все компоненты, необходимые для построения THz-TDSсистемы. Стандартный набор состоит из ТГц излучателя и ТГц детектора с фотопроводящей антенной, оптики для переноса лазерного излучения, моторизированной линии задержки с контроллером, оптики для переноса ТГц излучения, держателя образца и ТГц системы регистрации TRS-16 с линией быстрой задержки. Все компоненты расположены на оптической столешнице с размерами 60 × 80 см или 80 × 80 см. ТГц спектроскопический набор включает мощный пакет программного обеспечения для управления системой, сбора и анализа данных.

Рис. 1. Оптическая схема ТГц спектроскопического набора в конфигурации на пропускание

Оптический и ТГц пути излучения будут предварительно отъюстированы. Таким образом, потребуется только завести лазерное излучение внутрь спектрометра. Лазер накачки должен удовлетворять следующим параметрам: длительность импульса ~100 фс, частота следования импульсов в диапазоне 10 – 100 МГц, средняя выходная мощность до 60 – 80 мВт, длина волны накачки ~780 нм или ~1060 нм.

Доступны 4 стандартных конфигурации, оптимизированных под измерение пропускания, отражения, получения изображения и экспериментов накачки-зондирования. Каждая из них может быть с легкостью заменена и модифицирована. Любые другие конфигурации могут быть заказаны отдельно или в качестве будущего улучшения системы.

ТГц спектроскопический набор может включать несколько конфигураций в одной. Можно создать гибридный набор, содержащий ТГц излучатель/детектор со свободным входом и волокном. Опционально может быть установлен предметный столик с гониометром. Этот недорогой модуль позволяет работать в самых разных геометриях. Включая геометрию пропускания, а также геометрию отражения с углом, изменяющимся в диапазоне от 18.5° до 90°. Также данный набор может быть использован для уникальных экспериментов рассеяния ТГц излучения, так как углы излучателя и детектора могут изменяться независимо друг от друга.

В комплект может входить конфигурация для исследования ТГц излучения различных полупроводников в режиме отражения или пропускания.